TF2110在BLDC驱动中的应用

美国TFSS公司的TF2110芯片是一种双通道、栅极驱动、高压高速功率器件的单片式集成驱动模块。由于它具有体积小、成本低、集成度高、响应速度快、偏值电压高、驱动能力强等特点,自推出以来,这种适于功率MOSFET、IGBT驱动的自举式集成电路在电机调速、电源变换等功率驱动领域中获得了广泛的应用。

● Drives two N-channel MOSFETs or IGBTs in high-side / low side configuration  
● The floating high-side operates to 600V  
● 2.5A sink / 2.5A source typical output currents  
● Outputs tolerant to negative transients  
● Wide gate driver supply voltage range: 10V to 20V  
● Wide logic input supply voltage range: 3.3V to 20V  
● Wide logic supply offset voltage range: -5V to 5V  
● 15 ns(typ) rise / 13 ns (typ) fall times with 1000 pF load  
● 105 ns (typ) turn-on / 94 ns (typ) turn-off delay times  
● Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown circuitry  

TF2110采用先进的自举电路和电平转换技术,大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求,使得每对MOSFET(上下管)可以共用一片TF2110,并且所有的TF2110可共用一路独立电源。对于典型的6管构成的三相桥式逆变器,可采用3片TF2110驱动3个桥臂,仅需1路10V~20V电源。这样,在工程上大大减少了驱动电路的体积和电源数目,简化了系统结构,提高了系统可靠性。

1、TF2110内部结构及功能特点 
TF2110浮置电源采用自举电路,其高端工作电压可达600V,工作频率可达到500kHz,其内部结构如图1所示。它由三个部分组成:逻辑输入,电平平移及输出保护。TF2110采用CMOS工艺制作,逻辑电源电压范围为3.3V~20V,适应TTL或CMOS逻辑信号输入,具有独立的高端和低端2个输出通道,两路通道均带有滞后欠压锁定功能。由于逻辑信号均通过电平耦合电路连接到各自的通道上,容许逻辑电路参考地(Vss)与功率电路参考地(COM)之间有5V的偏移量,并且能屏蔽小于50ns的脉冲,有较理想的抗噪声效果。 

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发布日期:2021-07-23